●EUV、450mm晶圓和TSV技術都將延遲
根據(ju)ICinsights公司的(de)數據(ju)，看(kan)起來幾個正在(zai)顯現的(de)重要(yao)(yao)的(de)IC制造技術(shu)(shu)都將延(yan)遲，包括450mm晶圓(yuan)和遠紫外（EUV）光刻技術(shu)(shu)。根據(ju)分析(xi)，450mm晶圓(yuan)廠量產(chan)可能要(yao)(yao)比預(yu)期的(de)時間晚兩年(nian)，要(yao)(yao)等到(dao)2015年(nian)或(huo)2016年(nian)。而(er)EUV將會錯過(guo)16nm節點，因此要(yao)(yao)等到(dao)2015年(nian)的(de)13nm節點才能引入。
450mm晶圓技術正在(zai)推進
另一個(ge)技術，基(ji)于硅穿孔（TSV）的3D器(qi)件(jian)還處于萌芽期并“過(guo)高估(gu)計”了(le)，IC insight分(fen)析師TrevorYancey表示(shi)。對于TSV的3D器(qi)件(jian)的吹噓(xu)太(tai)多了(le)，但(dan)在(zai)基(ji)板、測試和成本方面，還有很多問(wen)題需要解決(jue)。
一些人(ren)認為TSV要進入主流應用還(huan)需要更(geng)長的時間(jian)。換句話來說，能幫助延續摩爾定律(lv)的三個技(ji)術——450mm，EUV和TSV——目(mu)前還(huan)是談(tan)論多于實(shi)際(ji)。
TSV與多項技(ji)術結合應用
450mm技(ji)術(shu)轉移(yi)的(de)延遲并不奇(qi)怪。IC insights公(gong)司主席BillMcClean在(zai)一個活動上表示：“經濟不景氣(qi)讓450mm技(ji)術(shu)變(bian)得無關緊要。”
根(gen)據報道，英特爾，臺積(ji)電和三星正在(zai)分(fen)別推進(jin)45mm“原(yuan)型”工廠在(zai)2012年的(de)到(dao)來。這幾家(jia)公司在(zai)尋找在(zai)32nm節(jie)點上的(de)45mm“演示”工具和22nm上的(de)“導入工具”。有人(ren)認為450mm工廠不會出現，他們認為研發(fa)費用(yong)(yong)太高了(le)。沒有人(ren)清楚誰會為工具和研發(fa)費用(yong)(yong)買(mai)單。
在前不久的(de)半導(dao)體產業策略(lve)座(zuo)談(tan)會(hui)（ISS）上(shang)，有(you)(you)謠言說450mm技術已(yi)經延遲了(le)，據說要等到15nm節(jie)點才會(hui)有(you)(you)導(dao)入工(gong)具。有(you)(you)人推測，經濟衰退，加上(shang)工(gong)具供應商的(de)支(zhi)持不足(zu)，是導(dao)致延遲的(de)原因之一。
美國(guo)紐約州政府計劃(hua)援建450mm晶圓研發(fa)中心
450mm量(liang)產(chan)工(gong)廠不會再2014年之前出現，Yancey表示。他(ta)認為450mm更可(ke)能出現的時間是“2015年或2016年”。Yancey同時相信(xin)量(liang)產(chan)工(gong)廠采用EUV也(ye)將遲于新的目(mu)標日期(qi)，預期(qi)是2013年的16nm邏(luo)輯節(jie)點。有(you)可(ke)能EUV會支持(chi)第(di)二代(dai)的16nm器件(jian)，但看起來這也(ye)不會發生。
EUV技(ji)術目前(qian)的(de)蝕(shi)刻(ke)成果
更有可能的情況是EUV在2015年的13nm邏輯節(jie)點上進入量產(chan)工(gong)廠(chang)，他表示。基于先前的考慮，還有功(gong)率源、光(guang)刻(ke)膠(jiao)和掩膜等(deng)問題需(xu)要解(jie)決。
英特爾和Sematech公司的警告日前再一(yi)次響起。芯片制造協會日前警告資金短(duan)缺和掩(yan)膜檢測問題將(jiang)影響EUV光刻的實(shi)施(shi)。三星也發出了這樣的警告。