●前景光明的EUV極端遠紫外光刻技術
隨著光刻技術的進步(bu)，在157nm之后(hou)人們稱(cheng)之為(wei)下一(yi)(yi)代光刻技術（NGL）。其中EUV是最有(you)前途的方法(fa)之一(yi)(yi)，也是今天(tian)我(wo)們討論的主角。EUV技術最明顯的特點是曝光波(bo)長一(yi)(yi)下子降到13.5nm，在如此短波(bo)長的光源(yuan)下，幾(ji)乎所(suo)有(you)物質都有(you)很強的吸收性，所(suo)以不(bu)能使(shi)用傳(chuan)統(tong)的穿透式光學(xue)系統(tong)，而要改用反射式的光學(xue)系統(tong)，但是反射式光學(xue)系統(tong)難(nan)以設計成大的NA，造(zao)成分辨率無(wu)法(fa)提高(gao)。
EUV光刻技術正在飛(fei)速發展
EUV技術還有(you)些其(qi)它優點，如可通用KrF曝光(guang)中的光(guang)刻膠以及由(you)于短波長(chang)，不需要使用OPC（光(guang)鄰(lin)近效(xiao)應的圖形補償）技術等，大大降低了掩模成本。
EUV技術的主要挑戰如下(xia)：
美國Cymer公司從1997年(nian)起(qi)就開始EUV光源的(de)(de)研制(zhi)，目前(qian)的(de)(de)技術(shu)路線有三種：第(di)一種源自Cymer的(de)(de)高密度等離(li)子體激光器(qi)；第(di)二種是(shi)放電(dian)型等離(li)子體激光器(qi)（DPP）；第(di)三種是(shi)基于激光產生(sheng)等離(li)子體（LPP）技術(shu)。為實(shi)現(xian)芯片批量(liang)(liang)生(sheng)產需(xu)要(yao)高功(gong)率(lv)的(de)(de)激光器(qi)，同時又(you)是(shi)降低EUV光刻(ke)機的(de)(de)關鍵。目前(qian)EUV光源的(de)(de)功(gong)率(lv)己可達10W，試驗(yan)樣(yang)機的(de)(de)要(yao)求(qiu)是(shi)30W，而(er)真正滿足批量(liang)(liang)生(sheng)產要(yao)求(qiu)是(shi)100W。
在EUV光刻技(ji)術中，由于掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)是采用(yong)(yong)反射式（通常(chang)(chang)都是穿(chuan)透式），所(suo)以(yi)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)的(de)制作(zuo)(zuo)十分困(kun)難(nan)。一般采用(yong)(yong)80層堆疊的(de)Mo/Si薄(bo)膜(mo)，每(mei)一個Mo（鉬）層與(yu)Si（硅）層的(de)厚度分別為(wei)2.8nm及(ji)4.0nm。而且要求每(mei)層必須絕對平(ping)滑，誤差只容(rong)許一個原(yuan)子大(da)小，所(suo)以(yi)如(ru)何(he)制作(zuo)(zuo)多層涂布低缺陷的(de)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)仍是個大(da)挑戰。目前認為(wei)在掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)上的(de)顆(ke)粒(li)尺寸在50nm時就無(wu)法(fa)接受(shou)，所(suo)以(yi)通常(chang)(chang)要采用(yong)(yong)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)修正技(ji)術，如(ru)離子銑，或者(zhe)用(yong)(yong)電(dian)子束在局部區(qu)域加熱氣化修正多余(yu)的(de)圖形等。另(ling)外涉及(ji)到掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)的(de)儲存、運輸及(ji)操作(zuo)(zuo)也非常(chang)(chang)困(kun)難(nan)。
從EUV輻射的(de)殘骸可能(neng)破壞EUV系統(tong)的(de)光(guang)學鏡片，作為近期目標，鏡片的(de)壽命至少要幾個月(yue)。業界為了(le)(le)EUV，即下一代(dai)光(guang)刻技術付出(chu)了(le)(le)許多努力，如美國的(de)EUVLLC、歐(ou)洲的(de)EU41C、日本(ben)的(de)ASET及(ji)EUVA等(deng)公(gong)司。