●EUV技術原理淺析
為(wei)了繼續縮小線寬，擴(kuo)大芯(xin)片容量，人(ren)們一直在開發(fa)新的(de)集成電(dian)路(lu)生(sheng)產技術。如：X射線接近式光刻(ke)、電(dian)子束投影(ying)光刻(ke)、離子柬投影(ying)光刻(ke)和(he)軟X射線投影(ying)光刻(ke)等(deng)。為(wei)了強調軟X射線投影(ying)光刻(ke)與現(xian)有光刻(ke)的(de)連續性(xing)，現(xian)在普遍稱其為(wei)“極紫(zi)外(wai)投影(ying)光刻(ke)”。極紫(zi)外(wai)投影(ying)光刻(ke)EUV的(de)幾個(ge)關鍵(jian)技術已經突破(po)，最有希望(wang)成為(wei)下(xia)一代集成電(dian)路(lu)的(de)生(sheng)產技術。它采(cai)用13nm的(de)工作波長，理論上適用于線寬22nm以下(xia)的(de)集成電(dian)路(lu)生(sheng)產。
EUV是(shi)(shi)目(mu)前(qian)距實(shi)用(yong)話最近(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一種深亞(ya)微米的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)刻(ke)技術(shu)。他仍然采用(yong)前(qian)面提到的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)分(fen)步投影(ying)光(guang)刻(ke)系統，只是(shi)(shi)改變光(guang)源(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)波(bo)長，即采用(yong)波(bo)長更短的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)遠紫外線。目(mu)前(qian)已(yi)經采用(yong)248nm、193nm的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)準分(fen)子(zi)激光(guang)光(guang)刻(ke)出0.18um的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)細線條(tiao)，在采用(yong)近(jin)程校正、移(yi)相掩(yan)膜(mo)等新(xin)技術(shu)后(hou)可達到0.15um。波(bo)長為(wei)157nm的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)準分(fen)子(zi)激光(guang)光(guang)刻(ke)技術(shu)也將近(jin)期投入應(ying)用(yong)。如果采用(yong)波(bo)長為(wei)13nm的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)EUV，則(ze)可得到0.1um的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)細條(tiao)。采用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)EUV進行(xing)光(guang)刻(ke)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)主要難點是(shi)(shi)很難找到合適(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制作掩(yan)膜(mo)版的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)材料和光(guang)學(xue)系統。
Intel巨資開發的Intel’s Micro Exposure Tool（MET）
關于(yu)EUV理論上的(de)(de)探討和初步的(de)(de)實驗在(zai)80年(nian)代中期(qi)(qi)就有學(xue)者做(zuo)(zuo)過相關工(gong)(gong)作。但一直到90年(nian)代末(mo)期(qi)(qi)，芯片工(gong)(gong)藝的(de)(de)飛速發展(zhan)以及微縮過程中所(suo)遇(yu)到的(de)(de)種種難題才使得工(gong)(gong)業界產生了(le)緊(jin)迫感。而且集成電路發展(zhan)的(de)(de)過程也清楚地顯示，如果不(bu)對當前的(de)(de)芯片工(gong)(gong)藝做(zuo)(zuo)大刀闊(kuo)斧的(de)(de)改(gai)進(jin)，盡快(kuai)地推出(chu)EUV工(gong)(gong)藝，摩爾(er)定律甚至整個(ge)芯片工(gong)(gong)業都(dou)將(jiang)面(mian)臨前所(suo)未有的(de)(de)危機(ji)。
IMEC開發的EUV alpha demonstration tool
1997年由(you)Intel、、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML組成極紫(zi)外(wai)有限公司(si)（EUVLLC）和在加州的三個國(guo)家實驗(yan)室成立。
EUV系統主要由四部分構成：
極端紫外光源
反射投影系統
光刻模板（mask）
能夠用于極端(duan)紫外的光(guang)刻涂層（photo-resist）
EUV光刻技術原理
無論是哪個部分，傳統的(de)光刻(ke)工藝都無用武之地，需(xu)要重新設(she)計。
極(ji)端紫外(wai)光(guang)源非(fei)常難設計(ji)，現有的(de)激光(guang)器在極(ji)端紫外(wai)光(guang)譜輸出功率低，無法(fa)達(da)到光(guang)刻所需(xu)的(de)能量要(yao)求。而讓問題(ti)變得(de)更(geng)復雜的(de)是，極(ji)端紫外(wai)光(guang)會被絕(jue)大多數(shu)的(de)材(cai)料吸收，包括(kuo)空(kong)氣，傳統(tong)的(de)光(guang)刻透(tou)射投影設備(bei)等。