● 最為活躍的193nm浸入式光刻技術簡介
直至(zhi)2002年底浸入式技(ji)術(shu)(shu)迅(xun)速成(cheng)為(wei)(wei)光刻技(ji)術(shu)(shu)中的新寵，而此前業(ye)界(jie)并沒有認(ren)為(wei)(wei)浸入式技(ji)術(shu)(shu)有如此大的功(gong)效。因為(wei)(wei)此種技(ji)術(shu)(shu)的原(yuan)理清晰(xi)及(ji)配合現有的光刻技(ji)術(shu)(shu)變動不大，獲得(de)了人(ren)們的極大贊賞。
傳統干式光刻技術
在傳統的(de)(de)光刻(ke)(ke)技(ji)術中(zhong)，其與光刻(ke)(ke)膠(jiao)之間的(de)(de)介(jie)質是空氣(qi)，而所謂浸入(ru)式(shi)技(ji)術是將空氣(qi)介(jie)質換成液(ye)體(ti)(ti)。實(shi)際上，浸入(ru)式(shi)技(ji)術利用光通過液(ye)體(ti)(ti)介(jie)質后光源(yuan)波長(chang)縮短(duan)來提高(gao)分辨率(lv)，其縮短(duan)的(de)(de)倍率(lv)即為(wei)液(ye)體(ti)(ti)介(jie)質的(de)(de)折射率(lv)。例如(ru)，在193nm光刻(ke)(ke)機(ji)中(zhong)，在光源(yuan)與硅片（光刻(ke)(ke)膠(jiao)）之間加入(ru)水作為(wei)介(jie)質，而水的(de)(de)折射率(lv)約(yue)為(wei)1.4，則波長(chang)可縮短(duan)為(wei)193/1.4=132nm。
浸入式光刻技術原理
如果放的(de)液體(ti)不是水，或(huo)者是其它液體(ti)，但折射率比1.4高(gao)時，那(nei)實際分辨率可以非常方便地再次提高(gao)，這也是浸入式光(guang)刻技術能很快普及的(de)原因。
浸入(ru)式技術(shu)目前采(cai)用(yong)的是兩次去離子(zi)的蒸餾(liu)水，碰到(dao)主要的問題如(ru)下(xia)：
在(zai)浸入(ru)式光(guang)刻機系統中，由于(yu)多種(zhong)原因(yin)都可能產生氣(qi)(qi)泡(pao)，如(ru)減(jian)壓、氣(qi)(qi)泡(pao)表(biao)面的(de)(de)空(kong)氣(qi)(qi)滲透、硅片表(biao)面的(de)(de)空(kong)氣(qi)(qi)吸入(ru)或者與光(guang)刻膠表(biao)面的(de)(de)作用等。曾經作了氣(qi)(qi)泡(pao)從形成到(dao)破(po)裂的(de)(de)壽(shou)命(ming)試驗，實驗發現（包括理論的(de)(de)估計）微細氣(qi)(qi)泡(pao)的(de)(de)壽(shou)命(ming)正比于(yu)它的(de)(de)直徑，許多微細氣(qi)(qi)泡(pao)在(zai)破(po)裂之前實際己經分解。
193nm浸入式光刻技術(shu)是所有活躍(yue)的光刻技術(shu)中最為長壽(shou)最富有競爭力的，從這項(xiang)技術(shu)一經提出(chu)，就獲得了全球半導體廠(chang)商的一致認(ren)可。因(yin)為它的構成(cheng)方法可行(xing)并(bing)且投入小，除了節省設備制(zhi)造商以及制(zhi)程采用者大量研發及導入成(cheng)本之(zhi)外，它還擊敗開(kai)發過程問(wen)題重(zhong)重(zhong)的157nm光源(yuan)的干式光刻技術(shu)。