縱(zong)觀諾貝爾獎(jiang)的(de)歷史，可以(yi)發現很少有(you)如此(ci)“年輕”的(de)研究成果(guo)。歷年來，只要是自(zi)然科學類的(de)研究，從(cong)取得成果(guo)到獲得諾貝爾獎(jiang)，大多數要間隔幾(ji)十年之久。比如試管嬰兒(er)技
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芯片制造廠芯片以晶(jing)圓(yuan)為單位進行流水化的(de)工藝，完成所有的(de)工藝步(bu)驟之后，晶(jing)圓(yuan)就要進入良率測(ce)試環節。同一(yi)片晶(jing)圓(yuan)中(zhong)有的(de)芯片是合格(ge)的(de)，有的(de)芯片是不合格(ge)的(de)。測(ce)試目的(de)就
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外延片(pian)→清洗→鍍透明電(dian)極層→透明電(dian)極圖形(xing)光刻(ke)→腐蝕→去(qu)膠(jiao)→平臺(tai)圖形(xing)光刻(ke)→干法刻(ke)蝕→去(qu)膠(jiao)→退火→SiO2沉積→窗口圖形(xing)光刻(ke)→SiO2腐蝕→去(qu)膠(jiao)→N極圖形(xing)光刻(ke)→預清
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電(dian)子束加(jia)工(gong)和離子束加(jia)工(gong)是近(jin)年來得到較(jiao)大發展的(de)新型(xing)特種加(jia)工(gong)。他們(men)在精密微(wei)細加(jia)工(gong)方面，尤(you)其是在微(wei)電(dian)子學領域中得到較(jiao)多(duo)的(de)應用。通常來說，電(dian)子束加(jia)工(gong)主(zhu)要(yao)用于打孔
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第一：靶面金(jin)(jin)屬(shu)(shu)化合(he)物(wu)的形(xing)成。由(you)(you)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)靶面通過(guo)反應(ying)濺射工藝形(xing)成化合(he)物(wu)的過(guo)程中(zhong)，化合(he)物(wu)是(shi)在(zai)哪里形(xing)成的呢？由(you)(you)于活性反應(ying)氣體粒子(zi)與靶面原子(zi)相碰撞(zhuang)產生(sheng)化學(xue)反應(ying)生(sheng)成化合(he)
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本文結合BFS無菌灌裝工(gong)藝的(de)特(te)點，與傳統無菌灌裝工(gong)藝等進行了比較，并分析(xi)了無菌灌裝的(de)相關法(fa)規(gui)。探(tan)討了BFS無菌灌裝的(de)設備(bei)結構(gou)、 系統及與其生產(chan)線相配套(tao)的(de)設施設備(bei)
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1、色(se)水檢漏法 這種方法是(shi)將(jiang)檢漏與滅(mie)(mie)菌操作在(zai)同一滅(mie)(mie)菌柜(ju)中按先后順序(xu)完成的(de)。即產品滅(mie)(mie)菌結束后，仍留在(zai)滅(mie)(mie)菌柜(ju)內(nei)，隨之進行檢漏程(cheng)序(xu)。 以安(an)瓿的(de)水浴滅(mie)(mie)菌
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超越摩(mo)爾之路(lu)——SiP簡介SiP（System-in-Package) 系統級封(feng)裝技術將多(duo)個具(ju)有不同功(gong)能的有源電子(zi)元件(jian)（通(tong)常是(shi)IC裸(luo)芯片）與(yu)可(ke)選無源器件(jian)，以(yi)及諸如(ru)MEMS或(huo)者光學器件(jian)等其
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電(dian)子器件是(shi)一個非(fei)常(chang)(chang)復雜的系統，其(qi)封(feng)裝過程的缺陷和(he)失效也是(shi)非(fei)常(chang)(chang)復雜的。因(yin)此，研究封(feng)裝缺陷和(he)失效需要對封(feng)裝過程有一個系統性的了解，這樣(yang)才能從多個角度去(qu)分析(xi)缺陷
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要想造個(ge)芯片,?首(shou)先,?你得畫出(chu)來一個(ge)長(chang)這樣的玩(wan)意(yi)兒(er)給Foundry?(外包的晶圓(yuan)制造公司)(此處(chu)擔(dan)心有版權(quan)問題(ti)…?畢竟我(wo)也是拿別人錢干活的苦(ku)逼phd…?就(jiu)不放(fang)全電路圖(tu)了
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