半導(dao)體材料（semiconductormaterial）是導(dao)電能(neng)力介于導(dao)體與絕緣體之間的(de)(de)物(wu)質。半導(dao)體材料是一類具(ju)有半導(dao)體性能(neng)、可用來制作半導(dao)體器(qi)件和集成電的(de)(de)電子材料，其電導(dao)率
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摘(zhai)要：本文簡要介紹了直(zhi)拉法單晶的過程(cheng)控制的重要點(dian)和后(hou)期(qi)硅(gui)片常用的檢測方法及注意事項，以達到產品從生產到出廠的連續質(zhi)量(liang)控制環節，為客戶提供更(geng)高(gao)效，安全，高(gao)質(zhi)量(liang)
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為了滿足各種半導體器件的需(xu)要，必需(xu)對材料的電學參數進(jin)行測(ce)量，這些參數一般(ban)為電 阻率、載流子(zi)(zi)濃(nong)度、導電類型、遷移率、壽命及(ji)載流子(zi)(zi)濃(nong)度分布等(deng)。測(ce)量方法有四探
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摘要：對四探(tan)針技(ji)術測試(shi)薄層電阻的原理進(jin)行了綜述，重點分析了常(chang)規直(zhi)線四探(tan)針法(fa)、改進(jin)范德堡法(fa)和斜(xie)置(zhi)(zhi)式方形Rymaszewski 法(fa)的測試(shi)原理，并應(ying)用斜(xie)置(zhi)(zhi)式Rymaszewski 法(fa)研
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晶(jing)圓測(ce)試是對晶(jing)片上的每個晶(jing)粒(li)(li)進(jin)行針測(ce)，在檢測(ce)頭裝上以金(jin)線制成細如毛發之探針（probe），與晶(jing)粒(li)(li)上的接點（pad）接觸，測(ce)試其電(dian)氣特性，不合格的晶(jing)粒(li)(li)會被標上記(ji)號，而后當
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磁(ci)控濺(jian)射磁(ci)控濺(jian)射是物理氣相沉(chen)積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一(yi)種(zhong)。一(yi)般的濺(jian)射法可被用于(yu)制備金屬(shu)、半導(dao)體、絕緣體等多材料，且具(ju)有設備簡單、易于(yu)控制、鍍
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在平(ping)板電(dian)視和(he)小家電(dian)中大量采用(yong)貼(tie)片半導(dao)體元件(jian)(jian)，由于該類(lei)元件(jian)(jian)體積(ji)小，無法(fa)直接印元件(jian)(jian)的(de)型號，只(zhi)能(neng)標注代碼(ma)，但代碼(ma)命名規(gui)則不統(tong)一，所以查(cha)找起來很麻煩。在實踐中，筆者
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摘要：等(deng)離子劃(hua)(hua)(hua)片(pian)(pian)(pian)(pian)是近年來興(xing)起的(de)(de)一項新(xin)型圓(yuan)片(pian)(pian)(pian)(pian)劃(hua)(hua)(hua)片(pian)(pian)(pian)(pian)工藝(yi)。與傳統的(de)(de)刀片(pian)(pian)(pian)(pian)劃(hua)(hua)(hua)片(pian)(pian)(pian)(pian)、激光劃(hua)(hua)(hua)片(pian)(pian)(pian)(pian)等(deng)工藝(yi)不同(tong)，該工藝(yi)技術(shu)可以同(tong)步完成(cheng)一張圓(yuan)片(pian)(pian)(pian)(pian)上所有芯片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)劃(hua)(hua)(hua)片(pian)(pian)(pian)(pian)，生產效率明顯(xian)提升
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在我們的(de)生活中(zhong)，隨處(chu)(chu)都可見(jian)表(biao)(biao)面(mian)(mian)不同的(de)拉(la)絲(si)工(gong)(gong)藝，表(biao)(biao)面(mian)(mian)拉(la)絲(si)處(chu)(chu)理是(shi)通過研磨產品在工(gong)(gong)件表(biao)(biao)面(mian)(mian)形(xing)成線紋，起到裝飾效果的(de)一種表(biao)(biao)面(mian)(mian)處(chu)(chu)理手段。今天(tian)小編(bian)就(jiu)與(yu)大(da)家從拉(la)絲(si)的(de)應(ying)用(yong)、
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原子(zi)層沉積技(ji)術簡介隨著半導(dao)體行業(ye)的不(bu)斷推進，電子(zi)器件不(bu)斷地走向微(wei)(wei)型化和集成化。小(xiao)小(xiao)的一(yi)塊芯片，在顯微(wei)(wei)鏡下放大一(yi)萬倍觀看（圖1），其復雜程度不(bu)亞(ya)于一(yi)座(zuo)城市。而(er)
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