MEMS技(ji)術是u-TAS發展的基礎，也是微(wei)流(liu)控(kong)芯(xin)片加(jia)工(gong)中最廣泛采用(yong)的方法(fa)。MEMS加(jia)工(gong)技(ji)術包括了常規平面(mian)工(gong)藝中的光刻、氧化、擴散(san)、化學(xue)氣相沉積(ji)(chemical vapor deposi
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技(ji)術(shu)節點的每次進(jin)(jin)(jin)步都要求對制(zhi)(zhi)造工藝(yi)變(bian)化進(jin)(jin)(jin)行更(geng)嚴(yan)格的控制(zhi)(zhi)。最先進(jin)(jin)(jin)的工藝(yi)現(xian)在可以達到(dao)僅7nm的fin寬度，比30個硅(gui)原(yuan)子稍大一點。半導體制(zhi)(zhi)造已(yi)經跨越了從納米級(ji)到(dao)原(yuan)子
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從(cong)廣義來講，MEMS是指集(ji)微(wei)型(xing)傳感器(qi)、微(wei)型(xing)執(zhi)行器(qi)以及信號處理(li)和控(kong)制電(dian)路、接(jie)口電(dian)路、通(tong)信和電(dian)源于一體的(de)完整(zheng)微(wei)型(xing)機電(dian)系統。它可以把運動、光(guang)、聲、熱、磁等(deng)自然界(jie)信
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CMOS工藝流程介紹1.襯(chen)底選擇(ze)：選擇(ze)合適的(de)襯(chen)底，或者外(wai)延(yan)片，本流程是帶外(wai)延(yan)的(de)襯(chen)底；2.?開始：Pad?oxide氧化，如果直接淀(dian)積氮(dan)化硅，氮(dan)化硅對襯(chen)底應力(li)過(guo)大，容易出(chu)問題；接著
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摘 要：研究一種實(shi)現背面(mian)拋(pao)光的方(fang)法，在制(zhi)(zhi)絨(rong)(rong)工(gong)序中(zhong)以氮化硅(gui)為掩膜，對金剛線切割(ge)單(dan)晶硅(gui)片(pian)進行單(dan)面(mian)制(zhi)(zhi)絨(rong)(rong)，該掩膜在制(zhi)(zhi)絨(rong)(rong)工(gong)序中(zhong)被HF 酸(suan)去除。未(wei)制(zhi)(zhi)絨(rong)(rong)面(mian)作(zuo)為背鈍化電池背拋(pao)
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碳化(hua)硅(gui)元(yuan)器件(jian)的昨天(tian)、今天(tian)、明天(tian)！來源：寬(kuan)禁帶半(ban)導體(ti)技術(shu)創新聯(lian)盟(meng)【導讀(du)】碳化(hua)硅(gui)（SiC）是用石英砂(sha)、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過電(dian)阻爐高溫冶(ye)煉而成。碳化(hua)硅(gui)在(zai)大
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SiC的應(ying)用始(shi)于2000年，最早在PFC中(zhong)采用了SiC?JBS二極管(guan)(guan)。隨后是在光(guang)伏行(xing)業中(zhong)，開始(shi)使用SiC二極管(guan)(guan)和FET。但是，最近(jin)在EV車載充電器(qi)和DC-DC轉換器(qi)相關領域應(ying)用的激增，
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隨著集成(cheng)(cheng)電(dian)路工藝(yi)制程技術的(de)不斷(duan)發(fa)展，為了提高集成(cheng)(cheng)電(dian)路的(de)集成(cheng)(cheng)度，同時提升(sheng)器(qi)件的(de)工作(zuo)速(su)度和(he)降低(di)它的(de)功(gong)耗，半導體工藝(yi)的(de)特(te)征尺寸不斷(duan)縮小，晶體管的(de)柵、源和(he)漏有源區
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碳(tan)化硅(SiC)材(cai)料是目前世界上公認的(de)綠色高(gao)效的(de)新型半導(dao)體材(cai)料，具有寬禁帶(dai)寬度、高(gao)擊(ji)穿電場、高(gao)熱導(dao)率、高(gao)飽(bao)和電子漂移速度、抗輻射(she)能(neng)力強以及化學性質(zhi)穩定等優勢(shi)
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薄(bo)(bo)膜沉積(ji)是(shi)集成電路制造(zao)過程(cheng)中必不可(ke)少的環節(jie)，傳(chuan)統(tong)的薄(bo)(bo)膜沉積(ji)工藝主要有 PVD、 CVD 等(deng)氣相(xiang)沉積(ji)工藝：PVD（物理(li)氣相(xiang)沉積(ji)）： 在(zai)真空條件下，采用物理(li)方法，將(jiang)材料(liao)源（固體
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