一、線痕
分(fen)類：線痕(hen)(hen)按(an)表現形式(shi)分(fen)為(wei)雜質線痕(hen)(hen)、劃傷(shang)線痕(hen)(hen)、密布線痕(hen)(hen)、錯位線痕(hen)(hen)、邊緣線痕(hen)(hen)等。各種線痕(hen)(hen)產(chan)生的原(yuan)因如下(xia)：
1、雜質線痕：由多晶硅錠內雜質引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產生相關線痕。
表現形式：
（1）線痕上有可見黑點，即雜質點。
（2）無可見雜質黑點，但相鄰兩硅片線痕成對，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。
（3）以上兩種特征都有。
（4）一般情況下，雜質線痕比其它線痕有較高的線弓。
改善方法：
（1）改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。
（2）改善切片工藝，采用粗砂、粗線、降低臺速、提高線速等。
其它相關：硅(gui)錠雜(za)質除會(hui)產生(sheng)雜(za)質線痕外，還會(hui)導(dao)致(zhi)切片過程(cheng)中(zhong)出現"切不動"現象。如未及時(shi)發現處理，可導(dao)致(zhi)斷線而產生(sheng)更大的損(sun)失。
2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中，SIC顆粒"卡"在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。
表現形式：包括整條線痕和半截線痕，內凹，線痕發亮，較其它線痕更加窄細。
改善方法：
（1）針對大顆粒SIC（2.5~3D50），加強IQC檢測；使用部門對同一批次SIC先進行試用，然后再進行正常使用。
（2）導致砂漿結塊的原因有：砂漿攪拌時間不夠；SIC水分含量超標，砂漿配制前沒有進行烘烤；PEG水分含量超標（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游離C（<0.03%）以及<2μm微粉超標。
其它相關：SIC的特(te)性(xing)(xing)包括SIC含(han)量、粒度、粒形(xing)、硬度、韌(ren)性(xing)(xing)等，各項性(xing)(xing)能對于切(qie)片都有很大的影(ying)響。
3、密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題，造成硅片上出現密集線痕區域。
表現形式：
（1）硅片整面密集線痕。
（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。
（3）硅片部分區域貫穿硅片密集線痕。
（4）部分不規則區域密集線痕。
（5）硅塊頭部區域(yu)密布(bu)線痕。
改善方法：
（1）硅片整面密集線痕，原因為砂漿本身切割能力嚴
重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。
（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因為砂漿切
割能力不夠，回收砂漿易出現此類情況，通過改
善回收工藝解決。
（3）硅片部分區域貫穿硅片密集線痕。原因為切片機臺內砂漿循環系統問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時用美工刀將噴嘴內贓物劃向兩邊。
（4）部分不規則區域密集線痕。原因為多晶硅錠硬度不均勻，部分區域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。
（5）硅塊頭部區域密布線痕。切(qie)片機內(nei)引流桿(gan)問題。
4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產生的線痕。
改善方(fang)法：規范粘膠(jiao)操作，加強切片前(qian)檢查工作，定期清洗機床。
5、邊緣線痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導致的線痕。
表現形式：一般出現在靠近粘膠面一側的倒角處，貫穿整片硅片。
改善方(fang)法：規范粘膠操作，加強檢查和監(jian)督。
二、TTV（Total Thickness Variety）
TTV不良，都是由于各種問(wen)題導(dao)致(zhi)線(xian)網抖動(dong)而(er)產生的硅片不良，包(bao)括(kuo)設備(bei)精度(du)問(wen)題、工作臺問(wen)題、導(dao)輪(lun)問(wen)題、導(dao)向條粘(zhan)膠問(wen)題等。
1、設備精度：
導輪徑向跳動<40μm，軸向跳動<20μm。
改善方法(fa)：校準(zhun)設備。
2、工作臺問題：
工作臺的不穩定性會導致大量TTV不良的產生。
改(gai)善方法：維修工(gong)作(zuo)臺。
3、導輪問題：
因導輪問題而產生的TTV不良，一般出現在新導輪和導輪磨損很大的時候。
改善(shan)方法(fa)：更換導輪。
4、導向條粘膠問題：
當導向條下的膠水涂抹不均勻，出現部分空隙，在空隙位置的硅片，易出現TTV不良問題。
改善方法：規(gui)范粘膠操作。
三、臺階
臺階的出現，是由切片過程中的鋼(gang)線跳線引起(qi)，而導致(zhi)鋼(gang)線跳線的原因(yin)，包括設(she)備、工藝、物料等各方(fang)面的問(wen)題，部分如下(xia)：
1、砂漿問題：
砂漿內含雜質過多，沒有經過充分過濾，造成鋼線跳線。
改(gai)善(shan)方法：規范砂漿配制(zhi)、更換(huan)，延長切(qie)片(pian)的熱(re)機時間和次(ci)數。
2、硅塊雜質問題：
硅塊的大顆粒雜質會引起跳線而產生臺階。
改(gai)善(shan)(shan)方(fang)法：改(gai)善(shan)(shan)原材料或鑄錠工藝，改(gai)善(shan)(shan)IPQC檢(jian)測手(shou)段。
3、單晶停機、切起工藝問題：
單晶相對多晶硬度較大，在異常停機并重新切起的過程中，采用違規操作產生的鋼線跳線。
改善(shan)方法：嚴格遵循工藝操(cao)作。
4、線、砂工藝匹配問題：
鋼(gang)線、砂漿型號不(bu)匹配造成切(qie)片(pian)跳線，此(ci)種情(qing)況很少出現。