半導體(ti)設備(bei)需要大量(liang)的精密(mi)陶瓷部(bu)件。由于陶瓷具(ju)有高(gao)硬度(du)、高(gao)彈性模量(liang)、高(gao)耐(nai)磨、高(gao)絕緣、耐(nai)腐蝕、低膨脹等(deng)優點，可用作硅片拋光(guang)機、外延/氧化(hua)/擴散等熱處理設(she)備(bei)、光刻機(ji)、沉積設(she)備(bei)，半(ban)導(dao)體(ti)刻蝕設(she)備(bei)，離子注入機(ji)等設(she)備(bei)的(de)零部件(jian)。半(ban)導(dao)體(ti)陶瓷有氧化鋁(lv)、氮化硅(gui)、氮化鋁(lv)、碳(tan)化硅(gui)等，在半(ban)導(dao)體(ti)設(she)備(bei)中(zhong)，精(jing)密陶瓷的(de)價值(zhi)約占(zhan)16%左右。精密陶瓷作為第三(san)代新興(xing)材料(liao)，已經(jing)被(bei)引入到各種(zhong)裝備之中，充(chong)當(dang)著(zhu)重要的角(jiao)色，這為精密陶瓷的應(ying)用提供(gong)了廣闊的用武之地。
隨著芯片生產的技術的不斷提高，半導體制造設備持續向精密化、復雜化演變，高精密陶瓷關鍵部件的技術要求也越來越高。近年來東莞兆恒機械持續為國內外半導體企業加工了眾多高精密的半導體零部件，如果您也有這樣的加工需求可以聯系我們。
其中陶瓷部件包括(kuo)：
1、氧化鋁(Al?O?)
2、碳化硅(SiC)
3、氮(dan)化(hua)鋁(AIN)
4、氮(dan)化硅(Si3N4)
5、氧化釔（Y2O3）
氧化鋁：
氧化鋁在半(ban)導(dao)體(ti)裝備(bei)中使用最為廣泛的精密(mi)陶瓷材料。具有材料結構穩(wen)定，機械強度高(gao)，硬度高(gao)，熔點高(gao)，抗腐蝕，化學穩(wen)定性優良，電(dian)阻率大(da)，電(dian)絕緣性能(neng)好等優點，在半(ban)導(dao)體(ti)設備(bei)中應(ying)用廣泛。
在半導(dao)體刻(ke)蝕(shi)設備中，刻(ke)蝕(shi)機腔室材(cai)料作為晶圓污(wu)染的(de)(de)主要來源，等(deng)離子刻(ke)蝕(shi)對其影(ying)響程度決定了(le)晶圓的(de)(de)良率、質量、刻(ke)蝕(shi)工藝的(de)(de)穩定性等(deng)。因此(ci)，刻(ke)蝕(shi)機腔室材(cai)料的(de)(de)選(xuan)用尤為重(zhong)要。當前，主要采(cai)用高純Al?O?涂(tu)層或Al?O?陶瓷作為刻蝕腔體和腔體內(nei)部件的防護材料(liao)。
碳(tan)化硅(gui)
碳化(hua)硅具有高導熱(re)(re)性(xing)、高溫機(ji)械強(qiang)度(du)、高剛度(du)、低熱(re)(re)膨脹系數、良好的(de)熱(re)(re)均勻性(xing)、耐(nai)腐蝕性(xing)、耐(nai)磨耗性(xing)等(deng)特性(xing)。碳化(hua)硅在高達1400℃的(de)極端溫(wen)度(du)下(xia)，其仍能(neng)保持良(liang)好的(de)強度(du)。采用碳(tan)化硅陶瓷(ci)的(de)研磨盤(pan)由于硬(ying)度(du)高(gao)而磨損(sun)小，且熱(re)膨脹(zhang)系數與硅晶片基本(ben)相同，因(yin)而可以(yi)高(gao)速研磨拋光。
在(zai)硅(gui)(gui)晶片生(sheng)產時(shi)，需要(yao)經過高溫熱處理(li)，常使用(yong)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)夾具運輸，其耐熱、無損，可在(zai)表面涂敷類金剛(gang)石（DLC）等涂層，可增強性能(neng)，緩解晶片損壞(huai)，同時防止(zhi)污染擴(kuo)散。此外，碳化硅陶瓷還可應(ying)用在XY平臺、基座(zuo)、聚焦環、拋光板、晶(jing)圓夾盤、真空(kong)吸盤、搬(ban)運(yun)臂(bei)、爐(lu)管、晶(jing)舟、懸臂(bei)槳等。
氮化鋁(lv)
高(gao)純氮化鋁陶(tao)瓷具(ju)有卓(zhuo)越的熱(re)傳導性(xing)，耐熱(re)性(xing)、絕緣(yuan)性(xing)，熱(re)膨脹(zhang)系數(shu)接近硅，且(qie)具(ju)有優異(yi)的等(deng)離子體(ti)抗性(xing)，產品熱(re)量(liang)分布均(jun)勻。可應用于晶(jing)片加熱(re)的加熱(re)器、靜電夾(jia)盤等(deng)。
氮化硅
氮化硅(Si3N4）是斷裂(lie)韌性高(gao)、耐熱沖(chong)擊性強、高(gao)耐磨耗(hao)性、高(gao)機械強度、耐腐(fu)蝕的(de)材料。可應(ying)用于(yu)半導體設備的(de)平臺、軸(zhou)承等部件。
氧化釔
氧化釔（Y2O3）為(wei)立(li)方結構，熔點高，化學和(he)光(guang)化學穩定性(xing)好，光(guang)學透明性(xing)范圍較寬，聲子能量低，容(rong)易實現稀土離(li)子的摻雜具(ju)有(you)卓越的等離(li)子體(ti)抗性(xing)，對于務必(bi)避免顆粒污染的半(ban)導體(ti)加工設(she)備應(ying)用而言是理(li)想之(zhi)選，因為(wei)它能降(jiang)低設(she)備維護要求，從而提(ti)高生產力(li)。氧化釔目前主要用途用在刻蝕陶瓷環(huan)等
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