近日(ri) TECHCET發(fa)布報告稱(cheng)，隨(sui)著(zhu)半(ban)導體制造設(she)備銷售(shou)增(zeng)長和晶圓廠擴建繼續增(zeng)加，高純(chun)度硅部件市場(chang)預(yu)計將突破(po)9億美(mei)元，比2021的(de)(de)8.24億美(mei)元增(zeng)長10%。預(yu)測該(gai)市場(chang)2021至2026年的(de)(de)復合(he)年增(zeng)長率將以近6%的(de)(de)速度增(zeng)長（如(ru)下圖(tu)所示）。
“硅部(bu)(bu)(bu)件(jian)(jian)主要(yao)用于(yu)(yu)蝕刻設備(bei)系統，因此市場(chang)增長與芯片生產密切相關，并受新蝕刻設備(bei)銷售的影(ying)響(xiang)，”此外，替換(huan)(huan)部(bu)(bu)(bu)件(jian)(jian)占市場(chang)的70%左右(you)，因為(wei)這(zhe)些易耗部(bu)(bu)(bu)件(jian)(jian)的壽命有限，需要(yao)根據工廠(chang)的維護計劃進行更換(huan)(huan)。鑒于(yu)(yu)行業代工廠(chang)的投資(zi)趨(qu)勢，約66%的新部(bu)(bu)(bu)件(jian)(jian)和(he)替換(huan)(huan)補部(bu)(bu)(bu)件(jian)(jian)用于(yu)(yu)300 mm代工廠(chang)。
大(da)直徑硅筒
硅部件的開發(fa)和規(gui)(gui)格是嚴格按照蝕刻設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)制(zhi)造(zao)商的要(yao)求(qiu)來加工(gong)制(zhi)造(zao)的，因為每個設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)中(zhong)的硅部件以及(ji)每個部件的設(she)(she)(she)計規(gui)(gui)格及(ji)制(zhi)造(zao)標準都是不(bu)一(yi)樣(yang)的。TECHCET估計，從(cong)部件制(zhi)造(zao)商到設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)OEM的銷售額約占硅制(zhi)造(zao)商總銷售額的50%。
在過去5-10年中(zhong)，一個重(zhong)大的(de)(de)轉變是(shi)，市場(chang)(chang)(chang)份(fen)額從美國向(xiang)亞(ya)洲轉移(yi)。關鍵的(de)(de)硅部件(jian)(jian)制造(zao)商包括Hana Materials公司(si)，該公司(si)目前以(yi)近(jin)30%的(de)(de)市場(chang)(chang)(chang)份(fen)額占(zhan)據(ju)首位，其次是(shi)Lam/Silfex、WorldEx和Coorstek。TECHCET預(yu)計，中(zhong)國的(de)(de)硅部件(jian)(jian)供應商將在市場(chang)(chang)(chang)中(zhong)發揮(hui)越(yue)來越(yue)大的(de)(de)作用，尤其是(shi)在與(yu)中(zhong)國的(de)(de)設(she)備制造(zao)商和代(dai)工廠(chang)合作方面。這些公司(si)將不(bu)斷發展業務，以(yi)服(fu)務全(quan)球市場(chang)(chang)(chang)。
單(dan)晶硅盤
刻(ke)(ke)蝕(shi)設備用硅(gui)部(bu)(bu)件(jian)是(shi)晶(jing)(jing)圓(yuan)制造刻(ke)(ke)蝕(shi)環節(jie)所需的(de)核心(xin)耗(hao)材，主要(yao)包(bao)括硅(gui)電(dian)極及硅(gui)環等。硅(gui)電(dian)極表面有密(mi)集微小通孔，在晶(jing)(jing)圓(yuan)制造刻(ke)(ke)蝕(shi)環節(jie)，硅(gui)電(dian)極除了(le)作(zuo)為(wei)附加電(dian)壓(ya)的(de)電(dian)極，還(huan)作(zuo)為(wei)刻(ke)(ke)蝕(shi)氣體(ti)進(jin)入腔體(ti)的(de)通路(lu)；硅(gui)環是(shi)支撐硅(gui)電(dian)極及其(qi)他(ta)相關零件(jian)的(de)承載部(bu)(bu)件(jian)，保證等離子干(gan)式刻(ke)(ke)蝕(shi)機腔體(ti)的(de)密(mi)封性和純凈度，同時對硅(gui)晶(jing)(jing)圓(yuan)邊緣進(jin)行保護。刻(ke)(ke)蝕(shi)設備用硅(gui)材料的(de)核心(xin)技(ji)術(shu)參數(shu)包(bao)括晶(jing)(jing)體(ti)生長熱(re)場(chang)模(mo)擬及設計技(ji)術(shu)、晶(jing)(jing)體(ti)生長摻雜及缺陷控制技(ji)術(shu)、大直徑(jing)晶(jing)(jing)體(ti)生長及部(bu)(bu)件(jian)加工技(ji)術(shu)。
刻(ke)蝕設備硅材料核心(xin)技術參數包(bao)括：
（1）晶體質(zhi)量(liang)：摻雜劑、電(dian)阻率、氧含量(liang)、金屬含量(liang)、微觀缺陷及其分布；
（2）加工(gong)精度(du)(du)：平(ping)面(mian)度(du)(du)、平(ping)行度(du)(du)、同心度(du)(du)、表面(mian)粗糙(cao)度(du)(du)等
單晶(jing)硅(gui)環
硅(gui)部件制品周期性(xing)消耗，成為(wei)晶圓加工 過程的(de)重要零(ling)部件耗(hao)材(cai)，直接影響晶圓的(de)電學性能，比如一個硅環在加工約(yue) 200 片晶圓(yuan)后(hou) 就需要(yao)更換。
硅電極
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