1）硅片研磨(mo)的UV減粘膠帶BG tape
這(zhe)個(ge)應用是原料(liao)的硅錠切割成硅片以后，表面有些(xie)鋸痕破損等(deng)，需(xu)要進(jin)行研磨拋光等(deng)處理。
這(zhe)過(guo)程中需(xu)要用到(dao)BG tape，Back grindingtape。
首(shou)先，這(zhe)個(ge)厚度(du)公差正負1um，已經把(ba)幾(ji)乎所有的膠帶(dai)廠商(shang)擋(dang)在(zai)了門外，膠的涂(tu)布(bu)使用一些精密(mi)的涂(tu)布(bu)機可以達到，但是搭(da)配上那個(ge)膜(mo)，就很難了，行業一般使用PO聚烯烴膜(mo)，目(mu)前也是只(zhi)有日(ri)本(ben)廠商(shang)能大量提(ti)供，國(guo)內在(zai)研發起(qi)步中；
其次，膠是水性膠，盡量不留殘膠，即使有也很容易清洗去除，膠本
再次(ci)，PO膜本身的除了(le)厚度管控，還要防靜電處理(li)，保持柔(rou)軟性而便(bian)于貼合硅片無(wu)氣泡，無(wu)離子(zi)析(xi)出(chu)等等，也(ye)是很難(nan)做到(dao)。
2）晶圓減薄保(bao)護膠帶
在如臺積(ji)電等工廠完成(cheng)晶(jing)圓后，硅片(pian)上(shang)已經(jing)有很多芯片(pian)電路了(le)。
如上(shang)圖，左(zuo)邊是(shi)線路面(mian)，右(you)邊是(shi)背面(mian)，這(zhe)樣的(de)產品，對于封(feng)裝(zhuang)來說，還是(shi)偏(pian)厚(hou)了，需(xu)要進行再減薄(bo)，更(geng)薄(bo)的(de)產品，利于將來芯片(pian)的(de)散熱，封(feng)裝(zhuang)后的(de)芯片(pian)更(geng)加輕薄(bo)，也有更(geng)好的(de)電性能，所以在foundry廠(chang)出(chu)貨前或者芯片(pian)封(feng)裝(zhuang)廠(chang)封(feng)裝(zhuang)前，需(xu)要將晶(jing)圓從背面(mian)進行減薄(bo)。
這類也是(shi)BG tape，只是(shi)應用點不一樣，產(chan)品結構也是(shi)類似。
簡單(dan)的(de)工藝如下：
首(shou)先，這(zhe)個膠(jiao)也(ye)是可以用UV減粘(zhan)，因為有(you)些IC如存儲(chu)功能(neng)的(de)(de)，不(bu)能(neng)照射UV，所(suo)以也(ye)有(you)熱(re)減粘(zhan)或者(zhe)其(qi)他方式的(de)(de)減粘(zhan)，膠(jiao)要(yao)接觸芯片，肯(ken)定也(ye)是需(xu)要(yao)不(bu)留殘膠(jiao)，容易(yi)清潔等要(yao)求。不(bu)同的(de)(de)晶圓尺寸，也(ye)有(you)不(bu)同的(de)(de)粘(zhan)度需(xu)求，不(bu)同的(de)(de)表(biao)面，還(huan)需(xu)要(yao)不(bu)同厚度的(de)(de)膠(jiao)來解決表(biao)面段差情況。
其次基材(cai)也(ye)是有(you)(you)PO或者(zhe)PVC，都(dou)有(you)(you)要(yao)保持(chi)柔韌(ren)性，PO膜貴一(yi)點，PVC便(bian)宜一(yi)點，但是有(you)(you)增(zeng)塑(su)劑(ji)析出的問題需(xu)要(yao)改善。
3）晶圓切割膠帶
Wafer晶(jing)圓(yuan)經過(guo)(guo)減(jian)薄以后，還是一整片的(de)，需要切割(ge)成(cheng)一個個單個芯片chip，這過(guo)(guo)程中需要使用UV Dicing tape，下圖(tu)是一個典(dian)型的(de)dicing過(guo)(guo)程。
將膠帶(dai)貼在wafer背面(mian)，固定在機(ji)臺上，進(jin)行(xing)切割，粘(zhan)性(xing)需要一定的(de)保證，否(fou)則容(rong)易(yi)崩邊等不(bu)良，不(bu)留殘膠，某些芯片也不(bu)可以使用UV光照。
而基材也有很多學問，防靜電，
4）QFN封裝膠帶
目(mu)前芯(xin)片封裝方(fang)式(shi)有很(hen)多，甚至接近百種(zhong)(zhong)，其中非常流行的一種(zhong)(zhong)方(fang)式(shi)叫QFN封裝，Quad Flat No-leads Package，方(fang)形扁平無引腳封裝。
而QFN封裝的工藝如下(xia)：
這(zhe)過(guo)程中用(yong)到一種(zhong)以PI聚酰亞胺為(wei)基材(cai)，丙(bing)烯酸酯為(wei)膠的(de)一種(zhong)單面膠帶。
將QFN膠帶(dai)貼在引(yin)線框背面，然后(hou)(hou)涂導(dao)電膠或者絕緣膠，固(gu)化后(hou)(hou)，打(da)金(jin)線導(dao)體(ti)各(ge)個pad，再用環氧(yang)樹脂(zhi)灌封(feng)，封(feng)裝結束后(hou)(hou)移除這(zhe)個膠帶(dai)。
膠帶需要使用(yong)PI耐高溫(wen)的(de)性能，然后不(bu)能使用(yong)硅膠作為(wei)膠黏劑，因為(wei)會引(yin)起硅污染，丙烯酸類膠耐高溫(wen)，就有不(bu)小的(de)挑戰，而且(qie)還要不(bu)留殘膠。
同時這個過程中，用到(dao)的導電膠，環氧樹(shu)脂(zhi)等也是很獨特的材(cai)料，掌握(wo)在少數(shu)幾個國際巨(ju)頭手(shou)中。
5）晶片(pian)粘結膠膜
將芯(xin)片固定在引線框架上(shang)或(huo)者粘(zhan)接兩層wafer，可(ke)以使用膠水，dieattach adhesive，或(huo)者也可(ke)以使用熱敏型的DAF膠膜，Die attach film，或(huo)者有導電的CDAF。
6）芯片包裝(zhuang)的載蓋(gai)帶
芯片封(feng)裝結束后，需要使(shi)用專門的載蓋帶包裝。