半導體封(feng)裝是指將通過測試的晶(jing)圓按(an)照產品型號及功能需求加(jia)工得(de)到獨立芯片的過程。
01 引(yin)線框(kuang)架簡介（作用，構成，材料選擇，及(ji)工藝概述(shu)）
引(yin)線框架是半導體封(feng)裝的(de)(de)(de)基礎材料，是集成(cheng)電路的(de)(de)(de)芯片(pian)載體，借助于鍵(jian)合(he)材料（金絲(si)、鋁(lv)絲(si)、銅絲(si)）實現(xian)芯片(pian)內部電路引(yin)出端與外引(yin)線的(de)(de)(de)電氣連接(jie)，形成(cheng)電氣回路的(de)(de)(de)關鍵(jian)結構件，起到和(he)外部導線連接(jie)的(de)(de)(de)橋梁作(zuo)用，主要功能是起到電路連接(jie)、散熱(re)、機械(xie)支撐等(deng)作(zuo)用。
框架構成：主要由兩部分組成，芯片(pian)焊(han)盤(pan)(pan)和引腳(jiao)。芯片(pian)焊(han)盤(pan)(pan)在封裝過程中為芯片(pian)提(ti)供機械支撐，引腳(jiao)是(shi)連(lian)(lian)接(jie)芯片(pian)到封裝外的(de)(de)電學通路(lu)，每一個引腳(jiao)末端都與芯片(pian)上的(de)(de)一個焊(han)盤(pan)(pan)通過引線連(lian)(lian)接(jie)，為內引腳(jiao)，另一端提(ti)供與基板(ban)或(huo)PC板(ban)的(de)(de)機械和電學連(lian)(lian)接(jie)，為管(guan)腳(jiao)。
在選(xuan)擇引線框(kuang)(kuang)架時要(yao)考慮如下(xia)因素：制造難易、框(kuang)(kuang)架性能要(yao)求(qiu)、合適的加工方(fang)法、以及成本。
考慮因素具體說明：
框架性能要求：
選材：框(kuang)架與塑封材料的粘合性，物理鍵合是不夠的，要考慮化(hua)學鍵合。
粘結性(xing)、熱(re)膨脹系數、強度以及電導率框架的(de)幾何形狀和成分也應考慮，會影響到(dao)封裝(zhuang)模塊(kuai)的(de)可(ke)加工性(xing)、質量及性(xing)能(neng)。
框架材(cai)料能否滿足加工、封(feng)裝(zhuang)裝(zhuang)配(pei)、PCB板(ban)裝(zhuang)配(pei)及器件的性能要求。
合適的加工方法：
引(yin)線框架的加(jia)工方法一(yi)般為機械沖壓法和化學蝕刻法。
機械沖壓法
一(yi)般(ban)使用(yong)跳(tiao)步工(gong)具(ju)，靠機械力作用(yong)進(jin)行沖切，這種方法所使用(yong)的模具(ju)比較昂貴(gui)，但(dan)框(kuang)架生產成(cheng)本低(di)。
缺點(dian)：機械沖壓加工的精度無法(fa)滿足高密度的封裝要求。
化學蝕刻法
主要采用光刻(ke)及金屬(shu)溶解(jie)的(de)化學試劑從金屬(shu)條(tiao)帶(dai)上蝕刻(ke)出圖形。大體可分(fen)為以下步驟：
沖壓(ya)定位孔→雙面(mian)涂(tu)光刻膠→ UV通(tong)過掩模版曝光、顯影、固化→通(tong)過化學(xue)試(shi)劑腐蝕暴露金屬（通(tong)常使用(yong)FeCl3等試(shi)劑）→去除(chu)光刻膠
蝕刻(ke)法特(te)點：設備成本低、框架成本較(jiao)高、生產周期短。
鍍層材料的選擇
框(kuang)架(jia)材料(liao)在完成成型加(jia)工后(hou)，要進行框(kuang)架(jia)表面處理，目的是使(shi)框(kuang)架(jia)防(fang)止(zhi)銹蝕，增加(jia)粘結(jie)性(xing)和(he)可焊性(xing)。鍍層材料(liao)要比框(kuang)架(jia)基體具有更好的抗(kang)腐(fu)蝕性(xing)，要致密，無(wu)空洞，有強度保(bao)證不(bu)在后(hou)期工序(xu)中(zhong)開裂，防(fang)止(zhi)氧化。
一般的鍍(du)層(ceng)工藝(yi)不(bu)會在整個框架上(shang)(shang)涂鍍(du)層(ceng)，在框架芯片焊(han)盤和(he)內引(yin)腳上(shang)(shang)鍍(du)銀，增加粘結性(xing)和(he)可焊(han)性(xing)。
為解決銅合金的(de)氧化問(wen)題(ti)，可在表面鍍一層高(gao)分子(zi)材(cai)料(liao)，特種高(gao)分子(zi)材(cai)料(liao)在一定溫度下會發生分解揮(hui)發，保(bao)證了框架(jia)的(de)抗腐蝕性又不(bu)會影響到材(cai)料(liao)的(de)可靠性以及與其(qi)他(ta)材(cai)料(liao)的(de)粘結性。
較大尺寸封裝，可(ke)以用聚合(he)物帶狀材(cai)料增強(qiang)框架(jia)的機(ji)械強(qiang)度(du)，起到降低塑封材(cai)料流(liu)動時(shi)引線(xian)掛斷或(huo)者芯片(pian)移位等問題，用于(yu)增加框架(jia)的機(ji)械強(qiang)度(du)。
聚(ju)合物帶狀材(cai)料(liao)的(de)技(ji)術壁(bi)壘(lei)在于：必須經受住高溫工藝，包括成型操作、后(hou)固化及(ji)接(jie)下(xia)來的(de)溫度循環(huan)和(he)器(qi)件可(ke)靠性測(ce)試，一般(ban)用(yong)的(de)比較(jiao)多的(de)是聚(ju)酰亞胺膜（提示：此處為技(ji)術壁(bi)壘(lei)及(ji)一般(ban)可(ke)用(yong)材(cai)料(liao)）。
框架材(cai)料(liao)通常由(you)合(he)金材(cai)料(liao)制成，封裝(zhuang)(zhuang)技(ji)術決定了封裝(zhuang)(zhuang)材(cai)料(liao)的(de)使(shi)用，基(ji)本是一代(dai)封裝(zhuang)(zhuang)、一代(dai)材(cai)料(liao)的(de)發(fa)展(zhan)規律，不同(tong)的(de)半導體(ti)封裝(zhuang)(zhuang)方式需要采用不同(tong)的(de)引線框架（不同(tong)的(de)封裝(zhuang)(zhuang)方式請見附(fu)表）。