一、半導體(ti)清洗用超純(chun)水設備概述
半導體(ti)(ti)清洗用(yong)(yong)(yong)(yong)超純(chun)水設備(bei)(bei)主要(yao)應用(yong)(yong)(yong)(yong)在半導體(ti)(ti)清洗行業，該設備(bei)(bei)采(cai)(cai)用(yong)(yong)(yong)(yong)先進(jin)的反滲透技(ji)術和ED1技(ji)術，保證設備(bei)(bei)的質(zhi)量和出水水質(zhi)。該設備(bei)(bei)整體(ti)(ti)采(cai)(cai)用(yong)(yong)(yong)(yong)先進(jin)的不銹鋼材質(zhi)，抗腐蝕能力強(qiang)，同時(shi)也不會出現生銹問題，質(zhi)量可靠，受到用(yong)(yong)(yong)(yong)戶的一致好評。
二、半導體清洗(xi)用(yong)超純(chun)水設備工作原理
EDI裝置將離子交換樹脂充(chong)夾在陰(yin)／陽離子交換膜之間形成(cheng)EDI單(dan)元，EDI工作(zuo)原理如(ru)下圖所示，EDI組件中將一定數量的EDI單(dan)元間用網狀物隔(ge)開(kai)，形成(cheng)濃水室(shi)(shi)。又在單(dan)元組兩端設置陰(yin)／陽電極。在直(zhi)流(liu)電的推動下，通過淡水室(shi)(shi)水流(liu)中的陰(yin)陽離子分(fen)
別穿過陰陽離子(zi)交換膜(mo)進入(ru)到濃水(shui)(shui)(shui)室(shi)面在淡水(shui)(shui)(shui)室(shi)中去除。而通過濃水(shui)(shui)(shui)室(shi)的水(shui)(shui)(shui)將離子(zi)帶(dai)出系(xi)統(tong)，成為(wei)濃水(shui)(shui)(shui)，ED1設備一般以(yi)反滲透（RO)純水(shui)(shui)(shui)作為(wei)EDI給水(shui)(shui)(shui)．RO純水(shui)(shui)(shui)電(dian)導(dao)率一般是40-2μ S/cm(25℃).
EDI純(chun)水電阻率可(ke)以高達18MQ.cm(25℃),但(dan)是根據去離子水用途和系統配置(zhi)(zhi)設置(zhi)(zhi)，EDI純(chun)水適用于制備電阻率要求在
1-18. 2MΩ.cm(25℃)的純水。
三、半(ban)導體清洗用超純水設備(bei)制備(bei)工藝
1、預處理(li)系(xi)統→反滲透系(xi)統一中間水(shui)箱→粗混合(he)床(chuang)→精混合(he)床(chuang)→純(chun)(chun)水(shui)箱→純(chun)(chun)水(shui)泵(beng)→紫外線(xian)殺菌器→拋光混床(chuang)→精密過(guo)濾器→用水(shui)點。（≥18MΩ.C0(傳統工藝(yi)）
2、預處理(li)→反(fan)滲透→中(zhong)間(jian)水(shui)箱→水(shui)泵(beng)→ED1裝置→純化(hua)水(shui)
箱一辣水系一紫(zi)外線殺菌器一隨光(guang)溉床→0. 2或(huo)0. 5μ=精密過濾器→用水點。（＊18MΩ.CM(最新工藝）
3、預(yu)處理→一級反滲透→加(jia)藥(yao)機（PH調節）→中間水箱→第
二級反滲(shen)透（正電(dian)荷反滲(shen)膜(mo)）→純水箱→純水泵→EDI裝(zhuang)置→紫外(wai)
線(xian)殺菌器→0. 2或0. 5μm精密過(guo)濾器→用水點。（≥17MΩ.00(最新(xin)工藝）
4、預處理→反滲透→中間(jian)水(shui)箱(xiang)→水(shui)泵→EDI裝(zhuang)置(zhi)一純(chun)水(shui)箱(xiang)→純(chun)水(shui)泵→紫外線殺菌器(qi)→0. 2或0. 5μ=精密過濾器(qi)→用水(shui)點。
（≥15Ω.00(最新工藝）
5、預處理系統一(yi)反涉透系統一(yi)中間水箱→純水泵一(yi)相混合(he)
床(chuang)→精混合(he)床(chuang)→紫外線殺菌器一(yi)精密過濾器一(yi)用水點。（≥15MΩ.CD(傳(chuan)統工藝）
